Обязанности и достижения:
Во время обучения в университете начал заниматься научной работой со 2-го курса. В 2000-2002 гг. работал лаборантом в КФ МГТУ им. Н. Э. Баумана кафедры ЭИУ1-КФ "Конструирование и производство радиоэлектронной аппа-ратуры". В 2002-2004 гг. работал инженером кафедры «Конструирование и производство радиоэлектронной аппаратуры».
Основными направлениями моей работы были исследования стрессовых воздействий: сильнополевых, радиационных, ионноплазменных на электрофи-зические характеристики МДП-структур (металл-диэлектрик-полупроводник).
Данными работами я занимался, участвуя в выполнении грантов и проек-тов: грант РФФИ 01-02-96012а, грант Минобразования РФ в области ядерной техники, проект программы "Научные исследования высшей школы по приори-тетным направлениям науки и техники" 202.01.07.
При выполнении данных работ мне приходилось заниматься совершенст-вованием аппаратной части, проведением измерений, обработкой полученных экспериментальных данных и их анализом.
Основным результатом моей работы я считаю разработку совместно с коллегами нового метода исследования МДП-структур в условиях сильнополе-вой туннельной инжекции с применением двухуровневой токовой нагрузки, ко-торая позволяет получать информацию о процессах изменения зарядового со-стояния диэлектрика МДП-структур непосредственно в процессе инжекции но-сителей. На основе полученных результатов был разработан новый способ из-готовления МДП-транзистора, основанный на использовании инжекционно-модифицированных диэлектрических слоёв. По результатам этой работы мною были сделаны доклады на 2 межвузовских, 4 региональных, 1 российской и 3 международных конференциях и получен патент на изобретение № 2206142 "Способ изготовления МДП-транзисторов".
За отличную учебу в университете и научную работу я был лауреатом стипендий имени П. М. Голубицкого, имени А. Л. Чижевского, учёного совета, гранта компании «Еврошина».