Обязанности и достижения:
Работа в ОКБ и на экспериментальном участке по разработке интегральных микросхем(ИМС) с памятью (ИМС полупроводникового типа), корректировка технологии ИМС, изменение размеров (длина, ширина) каналов, переходов путем фотолитографии, окисления, травления, проверка вольтамерных характеристик (ВАХ), контроль качества полупроводниковых ИМС, изготовление шаблонов для процессов фотолитографии.